Детальная информация
| Название | Исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии: бакалаврская работа: 03.03.02 |
|---|---|
| Авторы | Стороженко Любовь Александровна |
| Научный руководитель | Червяков Александр Михайлович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | предлучевая подготовка ; лучевая терапия ; КТ-симулятор ; КТ-кривая ; числа Хаунсфилда |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 03.03.02 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-6447 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\48317 |
| Дата создания записи | 14.11.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Настоящая работа относится к предлучевой подготовке как отдельного этапа лучевой терапии. Целью данной работы является исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии. Актуальность работы заключается в том, что хотя КТ-симуляторы используются в основном для диагностики заболеваний, для лучевой терапии важна правильная калибровка по КТ-кривой, однако на качество влияет фотоэффект. Проведен анализ отечественных и зарубежных источников для изучения темы предлучевой подготовки, лучевой терапии, КТ-симуляторов, взаимодействия излучения с веществом. На КТ-симуляторе проведена серия сканирований фантома в трех различных режимах. На основании полученных изображений на системе планирования получены соответствия чисел Хаунсфилда электронным плотностям, указанным в сертификате на фантом. Построены КТ-кривые для трех различных режимов, а также стандартная кривая, используемая на системе планирования. Оценено наибольшее отклонение в электронных плотностях кривых относительно стандартной кривой численно и в процентах. Сделан вывод о необходимости учета режима при дозиметрическом планировании и калибровки на тяжелых элементах.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 61
За последние 30 дней: 0