Детальная информация
| Название | Последовательность фазовых переходов в тонких эпитаксиальных пленках антисегнетоэлектрика цирконата свинца: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_02 - Физика структур пониженной размерности |
|---|---|
| Авторы | Литягин Георгий Александрович |
| Научный руководитель | Бурковский Роман Георгиевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Сегнетоэлектрики — Фазовые переходы ; Свинец, цирконаты ; Пленки тонкие ; Рентгеновские лучи — Рассеяние ; антисегнетоэлектричество |
| УДК | 537.226.4; 537.531 |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1069 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54402 |
| Дата создания записи | 23.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В данной работе была исследована температурная эволюция интенсивности сверхструктурных рефлексов в тонких пленках антисегнетоэлектрика цирконата свинца методом рассеяния синхротронного излучения. Выявлено наличие промежуточной фазы, характеризующейся сверхструктурными рефлексами M типа, не реализующейся в том же материале в виде монокристаллов. В определенном диапазоне температур промежуточная фаза сосуществует с антисегнетоэлектрической. Обнаружено, что значительные эпитаксиальные напряжения присутствуют только в пределах очень тонкого сильнодефектного приинтерфейсного слоя.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
