В диссертации рассматриваются акцепторные состояния примесей в структурах с квантовыми ямами. Проведен расчет вероятности рассеяния неравновесных дырок с одновременным испусканием фонона на возбужденное состояние акцептора в квантовой яме GaAs/AlGaAs. Получены температурные зависимости вероятности захвата дырок на возбужденные состояния акцепторов с одновременным испусканием оптического фонона. Исследована оптическая эмиссия и фотопроводимость терагерцового диапазона структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированной акцепторной примесью при детектировании излучения с торца рассматриваемого образца.