Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/Cd1-xZnxTe. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуреSi/Cd1-xZnxTe с различным содержанием цинка в пленке Si/Cd1-xZnxTe. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ гетероструктур. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/Cd1-xZnxTe.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 95
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |