Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Данная работа посвящена разработке технологии создания фотоприемников для средней и ближней ИК области спектра 1,1– 1,85 мкм. Такие фотоприемники изготавливались на основе гетероструктур GaSb/GaAlAsSb с низкой концентрацией носителей в активной области. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 21015 см3. Разработанные фотоприемники характеризуются высокой спектральной чувствительностью Sλ= 0,95А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (49)10−3 А/см2 при Urev = 1,0 2,0 В и высоким быстродействием (время отклика 5 10 нс).
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- Введение
- Глава 1. Фотоприемники для спектрального диапазона 1,1 – 1,8 мкм
- 1.1. Материалы для создания фотоприемников
- 1.2. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур на основе GaSb
- 1.3. Постростовая технология
- 1.4. Фотоприемники на основе p-n гетероструктуры
- 1.5. Характеристики фотоприемников
- Глава 2. Технология создания фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 2.1. Жидкофазная эпитаксия GaSb/GaAlAsSb
- 2.2. Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
- 2.2. Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
- 2.4. Травление мезаструктуры
- 2.5. Пассивация p-n-перехода
- 2.6. Создание разделительных канавок
- 2.7. Создание сплошного тыльного контакта
- Глава 3. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе гетероструктурыGaSb/GaAlAsSb
- 3.1. Спектральные характеристики фотоприемников на основе гетероструктуры GaSb/GaAlAsSb
- 3.2. Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики
- Заключение
- Списоклитературы
- Список публикаций по теме диплома
Статистика использования
Количество обращений: 77
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |