| Карточка | Таблица | RUSMARC | |
|
|
Амелина, Алина Алексанровна. Разработка метода анализа коэффициента Холла в высокотемпературных сверхпроводниках [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника / А. А. Амелина; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. В. Э. Гасумянц. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,07 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-2243.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-2243>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-2243-o.pdf>.Дата создания записи: 26.10.2018 Тематика: высокотемпературные сверхпроводники; коэффициент Холла; модель узкой зоны Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция Ссылки: DOI; Отзыв руководителя Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player Группа: Анонимные пользователи Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ |
Аннотация
В первой части данной работы представлен литературный обзор, в котором описаны особенности температурных зависимостей кинетических коэффициентов в нормальной фазе в YBa2Cu3Oy имодели, используемые для их описания. Во второй части работы проанализированы способы учета различных особенностей строения энергетического спектра и свойств системы носителей заряда при моделировании функции холловской проводимости, получена информация о параметрах, оказывающих наиболее сильное влияние на поведение коэффициента Холла, и предложен наиболее оптимальный метод расчета температурных зависимостей данного кинетического коэффициента.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
|||
| Интернет | Все |
|
Оглавление
- 1.1 Кристаллическая структура YBa2Cu3Oy
- Эффект термоэдс состоит в возникновении разности потенциалов в направлении приложенного градиента температуры.
- Для того чтобы на значение термоэдс не влияло наличие различных дефектов, включений неоднородностей у образцов и т. п., необходимо проводить измерения на однородных однофазных образцах, которые достаточно легко получить для иттриевых ВТСП. Для таких ...
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 24
За последние 30 дней: 2 Подробная статистика |