Детальная информация
| Название | Терагерцовая фотолюминесценция квантовых ям GaAs/AlGaAs с примесями: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Авторы | Граф Сергей Владимирович |
| Научный руководитель | Паневин Вадим Юрьевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Тематика | фотолюминесценция; терагерцовое излучение; квантовые ямы; примеси |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 03.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Ссылки | Отзыв руководителя |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-2247 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54770 |
| Дата создания записи | 29.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В настоящей работе представлены результаты исследований терагерцовой примесной фотолюминесценции двух наноструктур. Первая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния. Другая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния и акцепторной примесью бериллия. Примеси кремния и бериллия легированы в равных количествах. В спектрах терагерцового излучения наблюдаются пики, связанные с переходами электронов из основной электронной подзоны на основное состояние донора, а также с внутрицентровыми переходами. Показана возможность увеличения интегральной интенсивности примесного терагерцового излучения в квантовых ямах с компенсированными примесями по сравнению с квантовыми ямами n-типа.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 104
За последние 30 дней: 0
