В настоящей работе изложены литературные и экспериментальные данные по проведению травления монокристаллического кремния на стекле методом Bosch. Bosch-процесс проводился с использованием гексафторида серы SF6 и перфторциклобутана C4F8 на установке Oxford Instruments Plasma Pro Estrelas 100. Были выявлены основные зависимости технологических характеристик от параметров газового разряда, а также влияние характеристик на выходные параметры микроэлектромеханических датчиков.

Theoretical and experimental data on etching of monocrystalline silicon on glass using Bosch-process are considered in the present study. The Bosch process was carried out using sulfur hexafluoride SF6 and perfluorocyclobutane C4F8 on the Oxford Instruments Plasma Pro Estrelas 100. The main dependences of the process characteristics on the gas discharge parameters and the effect of the characteristics on the output parameters of microelectromechanical sensors were identified.