Details

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены асимметричные двойные гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP. На основе гетероструктур были созданы светодиоды двух типов (А и В) с длиной волны в максимуме спектра излучения 4.1 мкм и 4.7 мкм, соответственно. Исследованы их вольт–амперные и электролюминесцентные характеристики при комнатной температуре. Разработанные светодиоды могут быть использованы как высокоэффективные источники излучения в оптических абсорбционных сенсорах, предназначенных для регистрации углекислого и угарного газов в атмосфере.

Asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures are grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Two types of light–emitting diodes (A and B) were created on basis of grown heterostructures with emission peak at 4.1 μm and 4.7 μm, respectively. The current–voltage and electroluminescent characteristics of light–emitting diodes are investigated at room temperature. The developed light–emitting diodes can be used as high-effective radiation sources in optical absorption sensors for detection of carbon dioxide and carbon monoxide in the atmosphere.

• Глава 1. Светоизлучающие диоды для спектрального диапазона 4-5 мкм
  • 1.1. Бинарные соединения InAs, InSb и InP
  • 1.2. Многокомпонентные твёрдые растворы InAsSb и InAsSbP
  • 1.3. Типы переходов в гетероструктурах
  • 1.4. Механизмы протекания тока в гетероструктурах
  • 1.5. Механизмы межзонной рекомбинации в гетероструктурах
  • 1.6. Люминесцентные свойства светодиодов на основе системы твёрдых растворов In-As-Sb-P, работающих в спектральном диапазоне 4-5 мкм
  • 1.7. Постановка задачи
• Глава 2. Методики создания и исследования гетероструктур
  • 2.1. Подготовка образцов
• 2.2. Методика исследования светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
  • 2.2.1. Установка для измерения вольт-амперных характеристик светодиодов
  • 2.2.2. Установка для измерения электролюминесцентных характеристик светодиодов
  • 2.2.3. Определение оптической мощности излучения светодиодов
• Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • 3.1. Определение положения p-n перехода в светодиодных гетероструктурах
  • 3.2. Зонные диаграммы светодиодных гетероструктур
  • 3.3. Вольт-амперные характеристики светодиодных гетероструктур
  • 3.4. Электролюминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур
    • 3.4.1. Спектры электролюминесценции
    • 3.4.2. Ватт-амперные характеристики при квазинепрерывном режиме питания
    • 3.4.3. Ватт-амперные характеристики при импульсных режимах питания
• Заключение
• Список литературы