Пахомов, Александр Игорьевич. Исследование формирования омических контактов к транзисторным структурам на основе нитрида галлия [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа бакалавра: 28.03.01 - Нанотехнологии и микросистемная техника ; 28.03.01_01 - Технологии материалов и изделий микросистемной техники = Investigation of the formation of ohmic contacts to transistor structures based on gallium nitride / А. И. Пахомов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,4 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-2494.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2494>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2494-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2494-a.pdf>.