Details

Title: Исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника
Creators: Андрущенко Юрий Александрович
Scientific adviser: Морозов Дмитрий Валерьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: источник опорного напряжения; источник стабилизированного напряжения; токовое зеркало; дифференциальный усилитель; комплементарный металл-оксид-полупроводник; металл-оксид-полупроводник транзистор; voltage reference; voltage source; current mirror; differential amplifier; complimentary metal-oxide-semiconductor; metal-oxide-semiconductor transistor
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2548
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\5111

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объектом исследования является источник опорного напряжения. Цель работы - исследование схем источников опорных напряжений, используемых в КМОП-технологиях. Проведен обзор литературы о принципах работы, схемах, достоинствах и недостатках источников опорного напряжения. Разработан источник опорного напряжения и источник стабилизированного напряжения на его основе. Оценено изменение характеристик источников от влияния внешних воздействий, таких как температура и напряжение питания, а также изменения параметров резисторов. Отклонения опорного напряжения составили не более ±5%.

This work presents an overview of voltage references realized in CMOS process. The voltage reference and the voltage source have been developed. Voltage deviations have not exceeded ±5 percent.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 24
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics