Details
Title | Метод расчета спектра усиления нитридного лазера: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника |
---|---|
Creators | Медведева Екатерина Евгеньевна |
Scientific adviser | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | Нитриды ; Генераторы квантовые ; нитридный лазер ; расчет усиления ; расчет энергетической диаграммы |
UDC | 621.373.8:546.171.1(043.3) |
Document type | Master graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Master |
Speciality code (FGOS) | 11.04.04 |
Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
Links | Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2696 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | ru\spstu\vkr\1280 |
Record create date | 8/26/2019 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Произведено численное моделирование нитридного лазера на двойной гетероструктуре с учетом пьезоэлектрических полей, определяющих вид зонной диаграммы. Проведено исследование зависимости величины интеграла перекрытия от приложенного напряжения и ширины квантовой ямы. Произведен фиттинг кривых с использованием явных квадратичных приближений параболической части оптического усиления, на его основе получено аналитическое выражение для спектра усиления. Результаты работы были апробированы на экспериментальных данных.
A numerical simulation of a nitride laser on a double heterostructure is performed taking into account piezoelectric fields that determine the type of the band diagram. The dependence of the overlap integral on the applied voltage and the width of the quantum well is studied. Produced fitting curves using an explicit quadratic approximation of the parabolic part of the optical gain on the basis of the obtained analytical expression for the spectrum of gain. The results were tested on experimental data.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 45
Last 30 days: 0