Details

Title Влияние стимулированного излучения ближнего инфракрасного диапазона на спектр терагерцовой фотолюминесценции в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators Ефремов Илья Дмитриевич
Scientific adviser Фирсов Дмитрий Анатольевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2019
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Фотолюминесценция ; Генераторы квантовые ; терагерцовый диапазон ; ближний инфракрасный диапазон ; излучательные переходы
UDC 628.9.037(043.3) ; 621.373.826(043.3)
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 11.04.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links Отзыв руководителя ; Рецензия ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2735
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\1281
Record create date 8/26/2019

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Исследована фотолюминесценция легированной донорной примесью лазерной наноструктуры с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs в терагерцовом и ближнем инфракрасной диапазонах. Обнаружены излучательные переходы электронов через возбужденные и основные уровни донора в спектральных зависимостях терагерцовой и ближней инфракрасной фотолюминесценции. Исследовано стимулированное излучение с участием примесных центров, обнаружено его влияние на интенсивность терагерцового излучения. Зафиксирована трансформация спектров терагерцового излучения в зависимости от того, через какое донорное состояние преобладает стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне.

The photoluminescence of a donor-doped laser nanostructure n GaAs/AlGaAs with quantum wells in the terahertz and near infrared ranges is investigated. Radiative transitions of electrons through the excited and ground levels of the donor were found in the spectral dependences of terahertz and near infrared photoluminescence. The stimulated radiation with the participation of impurity centers was investigated, its effect on the intensity of terahertz radiation was found. Transformation of terahertz radiation spectra was recorded depending on which the donor state through stimulated radiation in the near infrared range prevails.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 75 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics