Details

Title: Влияние стимулированного излучения ближнего инфракрасного диапазона на спектр терагерцовой фотолюминесценции в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Ефремов Илья Дмитриевич
Scientific adviser: Фирсов Дмитрий Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Фотолюминесценция; Генераторы квантовые; терагерцовый диапазон; ближний инфракрасный диапазон; излучательные переходы
UDC: 628.9.037(043.3); 621.373.826(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2735; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2735-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2735-r.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-2735-a.pdf
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (2.3 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследована фотолюминесценция легированной донорной примесью лазерной наноструктуры с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs в терагерцовом и ближнем инфракрасной диапазонах. Обнаружены излучательные переходы электронов через возбужденные и основные уровни донора в спектральных зависимостях терагерцовой и ближней инфракрасной фотолюминесценции. Исследовано стимулированное излучение с участием примесных центров, обнаружено его влияние на интенсивность терагерцового излучения. Зафиксирована трансформация спектров терагерцового излучения в зависимости от того, через какое донорное состояние преобладает стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне.

The photoluminescence of a donor-doped laser nanostructure n GaAs/AlGaAs with quantum wells in the terahertz and near infrared ranges is investigated. Radiative transitions of electrons through the excited and ground levels of the donor were found in the spectral dependences of terahertz and near infrared photoluminescence. The stimulated radiation with the participation of impurity centers was investigated, its effect on the intensity of terahertz radiation was found. Transformation of terahertz radiation spectra was recorded depending on which the donor state through stimulated radiation in the near infrared range prevails.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 59
Last 30 days: 12
Detailed usage statistics