Детальная информация

Название: Влияние освещения на формирование пор в полупроводниках AIIIBV: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур
Авторы: Кунков Роман Эдуардович
Научный руководитель: Жуков Алексей Евгеньевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: физика полупроводников; электрохимия; порообразование; электрохимическое травление; метаматериалы; нанопористые слои; semiconductor physics; electrochemistry; pore formation; electrochemical etching; metamaterials; nanoporous layers
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3524; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3524-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3524-r.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-3524-a.pdf
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (2,6 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе проведено исследование влияния введения освещения в реакцию электрохимического травления на формирование пористого слоя в полупроводниках группы AIIIBV. Для этого проводился анализ влияния света на основные характеристики реакции порообразования и получаемых пористых слоев, такие как: • Изменение контактной разности потенциалов на границе раздела сред полупроводник/электролит в зависимости от потока внешнего освещения. • Морфология и линейные размеры, и поверхностная плотность пор, полученных в реакции порообразования с освещением и без него. • Изменение напряжения начала реакции порообразования в случае протекания реакции электрохимического травления с освещением. Сделаны выводы о характерных явлениях, происходящих при освещении поверхности активного полупроводникового анода в реакции электрохимического травления полупроводников AIIIBV: • Сдвиг электрохимического равновесия при внешнем освещении полупроводникового анода в сторону увеличения потенциала разомкнутой цепи. • Уменьшение величины напряжения начала поробразования при освещении, как следствие сдвига электрохимического равновесия. Также были проанализированы особенности протекания реакции электрохимического травления для подложек разных полупроводников AIIIBV.

In this paper, we studied the effect of introducing illumination into the electrochemical etching reaction on the formation of a porous layer in III – V semiconductors. For this purpose, an analysis of the effect of light on the main characteristics of the pore formation reaction and the resulting porous layers was carried out. Conclusions are made about the characteristic phenomena that occur when the surface of an active semiconductor anode is illuminated in the reaction of electrochemical etching of III – V semiconductors.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 27
За последние 30 дней: 2
Подробная статистика