Было исследовано спин-зависимое туннелирование 2D электронов через барьеры двух различных конфигураций. Барьер в первом случае представляет из себя одиночный дельта-потенциал, расположенный в среде с наличием спин-орбитального взаимодействия. Второй барьер имеет следующую структуру: два дельта-потенциала одинаковой мощности, разделенные средой со спин-орбитальным взаимодействием. Этот составной барьер помещен в среду без спин-орбитального взаимодействия. Для расчетов влияния спина электрона на вероятность туннелирования было использовано приближение эффективного спин-зависимого гамильтониана Рашбы. В итоге было показано, что наличие среды со спин-орбитальным взаимодействием оказывает влияние на зависимость вероятности прохождения барьера 2D электронов от их спиновой поляризации без наличия приложенного магнитного поля.

Spin-dependent tunneling of 2D electron through two different types of barriers is studied. In the first case barrier is a single delta-potential located in a medium with presence of spin-orbit interaction (SOI). In the second case barrier has a bit more complicated structure: it includes two delta-potentials separated by medium with SOI. This compound barrier is located in medium without SOI. The effective spin-dependent Hamiltonian approximation is used for a theoretical investigation of the influence of electron spin on the tunneling probability. It is shown that spin-orbit splitting in the dispersion relation for 2D electrons in semiconductor structure can provide the dependence of the tunneling transmission probability on the electron-spin polarization without additional magnetic field.