Details

Воденкова, Ксения Алексеевна. Конверсия спиральности 2D-электронов при упругом рассеянии [Электронный ресурс] = Hilicity conversion of 2D-electrons due to elastic scattering: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 - Физика ; 03.03.02_08 - Физика и технология наноструктур / К. А. Воденкова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. В. А. Кособукин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,2 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-4158.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4158>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-4158-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-4158-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-4158-a.pdf>.

Record create date: 10/9/2019

Subject: спин-орбитальное взаимодействие; конверсия спиральности; туннелирование; дельта-барьер; spin-orbit interaction; helicity conversion; tunneling; delta-potential

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Links: DOI; Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований

Allowed Actions: Read Download (1.2 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: FL SPbPU Local Network

Annotation

Было исследовано спин-зависимое туннелирование 2D электронов через барьеры двух различных конфигураций. Барьер в первом случае представляет из себя одиночный дельта-потенциал, расположенный в среде с наличием спин-орбитального взаимодействия. Второй барьер имеет следующую структуру: два дельта-потенциала одинаковой мощности, разделенные средой со спин-орбитальным взаимодействием. Этот составной барьер помещен в среду без спин-орбитального взаимодействия. Для расчетов влияния спина электрона на вероятность туннелирования было использовано приближение эффективного спин-зависимого гамильтониана Рашбы. В итоге было показано, что наличие среды со спин-орбитальным взаимодействием оказывает влияние на зависимость вероятности прохождения барьера 2D электронов от их спиновой поляризации без наличия приложенного магнитного поля.

Spin-dependent tunneling of 2D electron through two different types of barriers is studied. In the first case barrier is a single delta-potential located in a medium with presence of spin-orbit interaction (SOI). In the second case barrier has a bit more complicated structure: it includes two delta-potentials separated by medium with SOI. This compound barrier is located in medium without SOI. The effective spin-dependent Hamiltonian approximation is used for a theoretical investigation of the influence of electron spin on the tunneling probability. It is shown that spin-orbit splitting in the dispersion relation for 2D electrons in semiconductor structure can provide the dependence of the tunneling transmission probability on the electron-spin polarization without additional magnetic field.

Document access rights

Network User group Action
-> FL SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics