Детальная информация
| Название | Выявление эффектов намагничивания в микроволновом магнитосопротивлении Si, легированного фосфором и компенсированного бором, вблизи фазового перехода изолятор-металл: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Авторы | Науменко Антон Олегович |
| Научный руководитель | Гаврикова Татьяна Андреевна |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Тематика | электронный парамагнитный резонанс; кремний; магнитное поле; фосфор; бор; спектр; разбавленный магнитный полупроводник; примеси; магнитосопротивление; electron spin resonance; silicon; magnetic field; phosphorus; boron; spectra; diluted magnetic semiconductor; dopands; magnetoresistance |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4193 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать) |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\1452 |
| Дата создания записи | 26.08.2019 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Получены и проанализированы температурная зависимость магнитной восприимчивости и полевая зависимость магнитосопротивления образца кремния, легированного фосфором, компенсированного бором. Определено значение температуры Кюри.
Temperature dependency of magnetic susceptibility and field dependency of magnetoresistance of sample Si doped phosphorus and compensated by boron were obtained and analyzed. The Curie temperature was defined.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 30
За последние 30 дней: 0
