Details

Title: Исследование электрических свойств тонких фуллереновых пленок методом импедансометрии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Мхитарян Артур Леванович
Scientific adviser: Захарова Ирина Борисовна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фуллереновые пленки; импеданс; частотная зависимость; концентрация ловушек; подвижность носителей заряда; напряжение переключения; сопротивление; зонная диаграмма; fullerene films; impedance; frequency dependence; concentration of traps; mobility of charge carriers; switching tension; resistance; zonal chart
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-802; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-802-o.pdf; http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-802-a.pdf

Allowed Actions: Read Download (0.9 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: FL SPbPU Local Network

Annotation

Пленки на основе фулллерена С60 представляют большой научный интерес. В работе были исследованы ВАХ и частотные зависимости импеданса образцов С60 на подложках КДБ(p-тип) и КЭС(n-тип). Пленки С60 толщиной 150 нм и 200 нм, были получены методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объеме на подложках Si. Были измерены вольтамперные характеристики образцов в диапазоне напряжений 0,03-4В, а также сняты частотные данные на частоте 1кГц. Полученные зависимости были проанализированы в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом и сравнены друг с другом.

Films on the basis of С60 fullerene are of great scientific interest. In work were investigated IV characteristic and frequency dependences of an impedance of samples С60 on substrates of KDB (p-type) and KES (n-type). Films of С60 150 nm and 200 nm thick, were received by method of a vacuum sputtering in the quasiclosed volume on Si substrates. Current-voltage characteristics of samples were measured in voltage range of 0.03-4V and also frequency data at a frequency of 1 kHz are taken off. The received dependences were analyzed within model of the currents limited to a spatial charge and compared with each other.

Document access rights

Network User group Action
-> FL SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet All Read Print Download

Table of Contents

  • Реферат

Document usage statistics

stat Document access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics