В данной работе была рассмотрена структура и свойства слоев диоксида кремния, области их применения в науке и технике. Изучены основные методики их получения и определены слабые и сильные стороны этих методик. На базе изученной специализированной литературы извлечены ключевые технологические параметры в осаждении тонких слоев диоксида кремния посредством химического осаждения из газовой фазы. Изучены физико-химические закономерности осаждения пленок диоксида кремния. Из изученного объема источников был сформирован массив данных по благоприятным условиям для эффективного осаждения пленок диоксида кремния выбранным способом.

In this paper, we examined the structure and properties of silicon dioxide layers, and their fields of application in science and technology. The basic techniques for their preparation are studied and the weak and strong sides of these techniques are determined. Based on the studied specialized literature, the most important technological parameters were extracted in the deposition of thin layers of silicon dioxide through chemical vapor deposition. The physicochemical dependences of the deposition of silicon dioxide films were studied. From the volume of sources studied, an array of data was generated on favorable conditions for the effective deposition of silicon dioxide films in a selected manner.