Details

Title: Развитие неустойчивости Бурсиана-Пирса в плазменных диодах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_05 «Физика космических и плазменных явлений»
Creators: Собина Эльвира Альбертовна
Scientific adviser: Быков Андрей Михайлович
Other creators: Веселова Ирина Юрьевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: пульсар; диод бурсиана; функция распределения; неустойчивость бурсиана-пирса; потенциальный барьер; pulsar; bursian diode; distribution function; bursian-pierce instability; potential barrier
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 03.03.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-3282
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\7933

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена развитию неустойчивости Бурсиана-Пирса в плазменных диодах. Одним из путей решения проблем, связанных с излучением пульсаров, является моделирование пульсарного диода с помощью плазменного диода. В работе был рассмотрен диод Бурсиана – это диод плоской геометрии. В нём с эмиттера поступают заряженные частицы, у которых известна начальная функция распределения по скоростям. Вылетевшие частицы движутся в вакууме бесстолкновительно. С помощью Q, G-метода для режима без отражения электронов было получено линейное уравнение для амплитуды возмущения поля в диоде. С помощью дисперсионного уравнения были исследованы на устойчивость стационарные решения для режима без отражения электронов. Также, с использованием метода диаграмм исследована апериодическая неустойчивость всех стационарных решений. А решения для режима, в котором происходит отражение электронов от потенциального барьера, были исследованы на устойчивость относительно малых возмущений с помощью численного Е, К-кода. Рассмотренные методы исследования устойчивости решений для диода Бурсиана могут быть успешно использованы для изучения устойчивости плазменных диодов с моноэнергетическим потоком электронов. В частности, можно попытаться изучить устойчивость решений у пульсарного диода.

The given work is devoted to development od Bursian-Pierce instability in plasma diodes. One way to solve problems related to pulsar's radiation is to simulate a pulsar diode using a plasma diode. In this paper we examined the Bursian diode which has a plane geometry. In this diode charged particles with a known initial velocity distribution function come from the emitter. Emitted particles move in the vacuum without collisions. With the help of the Q, G-method for the mode without reflection of electrons we obtained a linear equation for the amplitude of the field perturbation in the diode. Using the dispersion equation stationary solutions for the mode without reflection of electrons were tested for stability. Also, using the diagram method the aperiodic instability of all stationary solutions was investigated. Solutions for the mode with reflection of electrons from the potential barrier were tested for stability in relation to small perturbations with the help pf numerical E, K-code. Considered methods of solutions' stability research for the Bursian diode can be used successfully to study the stability of plasma diodes with a monoenergetic electron flow. Particularly it can be used for studying the stability of solutions of a pulsar diode.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Содержание
  • Введение
  • Глава 1. Q, G-метод
  • Глава 2. Устойчивость решений в режиме без отражения электронов
  • 2.1. Амплитуда возмущения поля
  • 2.2. Диод Бурсиана
  • Глава 3. Устойчивость решений в диоде Бурсиана в режиме с отражением электронов
  • Заключение
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 2
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics