Детальная информация

Название: Свойства эпитаксиальных слоев оксида галлия, выращенных на различных подложках со структурой корунда: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Авторы: Галущак Даниил Андреевич
Научный руководитель: Афанасьева Елена Владимировна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Ga2O3; полиморфизм; хлоридная эпитаксия; polymorphism; chloride epitaxy
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2327
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12570

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена исследованию свойств роста α- полиморфов оксида галлия. Задачи, которые ставились в ходе исследования: ознакомление с особенностями роста полиморфов оксида галлия, исследование структуры слоев выращенных на поверхности (0001) кристаллов со структурой корунда, определение по данным рентгеновской дифракции и спектрам оптического поглощения тип образовавшихся при эпитаксии полиморфов.

This work is devoted to the study of the growth properties of α-polymorphs of gallium oxide. The author outlines the following tasks: introduction with the features of the growth of gallium oxide polymorphs, selecting of the structure of the layers grown on the (0001) surface of crystals with the structure of corundum determination of the type of polymorphs formed during epitaxy from the data of X-ray diffraction and optical absorption spectra.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 4
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика