Янбаев, Ильнур Азатович. Применение метода дифракции быстрых электронов на отражении (ДБЭО) при молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гетероструктур с квантовыми точками на GaAs/InAs: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_08 «Физика и технология наноструктур» = Application of the fast electron diffraction method on reflection in molecular beam epitaxy of heterostructures with quantum dots on GaAs/InAs / И. А. Янбаев; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Физико-механический институт; научный руководитель А. Е. Жуков; консультант С. В. Сорокин. — Санкт-Петербург, 2022. — 1 файл (2,3 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2022/vr/vr22-1225.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-1225. — Текст