Данная работа посвящена исследованию функциональных особенностей газовых сенсоров, в частности газового сенсора сероводорода и разработке рекомендаций по усовершенствованию конструкции прибора. Ниже представлены результаты, полученные в ходе исследования. В ходе выполнения работы была разработана конструкция полупроводникового газового сенсора сероводорода; приведена классификация газовых сенсоров. Описаны принципы работы полупроводниковых металлооксидных и других видов сенсоров; разработаны функциональная и конструкционная схемы прибора; разработан и изготовлен ЧЭ газового сенсора сероводорода с помощью планарной технологии, путем создания функционального слоя оксида никеля (II) на кремниевой пластине. Также изготовлены керамические платы и созданы корпусы для готовых приборов; описан стенд, используемый для испытаний; разработана методика определения степени чувствительности сенсора к сероводороду; определены характеристики ЧЭ сенсора, представляющего собой тонкий слой полупроводника (в данном случае — оксида никеля (II)), служащий для измерения уровня сероводорода (H2S) в исследуемом объеме. Таким образом, существует два метода для повышения чувствительности ЧЭ. Во-первых, можно изменить тип проводимости на проводимость n-типа (с использованием оксида титана (IV)). Во-вторых, утоньшение мембраны ЧЭ позволяет улучшить энергоэффективность прибора.

This work is associated with the study of the functional features of gas sensors, in particular, the hydrogen sulfide gas sensor and the development in efforts to improve the design of devices. Below are the results obtained during the study. In the course of the work, the design of a semiconductor gas sensor for hydrogen sulfide was developed, the classification of gas sensors was described. Studies of the operation of semiconductor metal oxides and other sensors have been done, functional and structural diagrams of the device were developed, SE of a gas sensor for hydrogen sulfide was developed and manufactured using planar technology by creating a functional layer of nickel oxide (II) on a silicon wafer. Also, ceramic plates were manufactured and defending cases for devices were created, testing appliances are described; a method for determining the degree of sensitivity of the sensor to hydrogen sulfide was developed. Characteristics of the SE sensor are determined. SE is a thin layer of a semiconductor (in this case, nickel (II) oxide) serving to measure the level of hydrogen sulfide (H2S) in the studied volume. To sum up, there are two methods to increase the sensitivity of SE. Firstly, it is possible to change the conductivity type to n-type (using titanium (IV) oxide). Secondly, the thinning of the SE membrane makes it possible to improve the usage of energy by the device.