Данная работа посвящена изучению влияния параметров газовой среды на структуру и однородность графена, выращиваемого методом сублимации. Для того, чтобы сделать определенные выводы о влиянии газовой среды на морфологию роста поверхности образцов, были выбраны определенные задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Рост графена в среде аргона высокой чистоты при разном давлении 2. Рост графена в газовой смеси аргона (95%) и водорода (5%) при разной температуре роста 3. Рост графена в среде аргона с повышенным содержанием Si-компонент в паровой фазе. 4. Анализ полученных образцов методами атомно-силовой микроскопии, Кельвин-зондовой микроскопии и Спектроскопии комбинационного рассеяния света.  В результате проведенных экспериментов было выявлено, что при использовании чистого аргона без примесей и давлении 750 торр формируется наиболее однородный графен. Изменение газовой среды на высокий вакуум или на добавление газообразных примесей, влияет не наилучшим образом. Полученные данные представляют большую пользу для развития технологии роста графена в промышленных масштабах.

This work is devoted to the influence of the parameters of the gas environ-ment on the structure and homogeneity of the graphene grown by sublimation. In order to make certain conclusions about the influence of the gas envi-ronment on the morphology of the samples surface growth, there were chosen certain tasks that were solved in the course of the research: 1. Growth of graphene in the medium of high-purity argon at different pressures 2. Growth of graphene in a gas mixture of argon (95%) and hydrogen (5%) at different growth temperatures 3. Growth of graphene in argon medium with increased content of Si-components in the vapor phase. 4. Analysis of the obtained samples by atomic force microscopy, Kelvin-probe microscopy and Raman spectroscopy.  Experiments showed that the most homogeneous graphene is formed when pure argon without impurities is used at a pressure of 750 torr. Changing the gas me-dium to a high vacuum or the addition of gaseous impurities does not affect in the best way. The obtained data are of great benefit for the development of gra-phene growth technology on an industrial scale.