Вход в систему
Инструкция по поиску

Детальная информация

Название Поглощение света в полупроводниках: межзонные оптические переходы и экситоны: учебное пособие
Авторы Винниченко Максим Яковлевич ; Мелентьев Григорий Александрович
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2021
Коллекция Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция
Тематика Свет — Поглощение ; Полупроводники ; Экситоны (физ.)
УДК 535.34(075.8) ; 539.2:537.311.322(075.8)
Тип документа Учебник
Тип файла PDF
Язык Русский
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/5/tr21-44
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\66226
Дата создания записи 18.03.2021

Разрешенные действия

–

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В учебном пособии рассмотрены процессы межзонных оптических переходов носителей заряда (прямые и непрямые переходы). Рассмотрены экситоны и их влияние на межзонное поглощение света. Также особое внимание уделено изучению влияния температуры на ширину запрещенной зоны. Наряду с теорией рассматриваемых явлений приведены экспериментальные данные. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Техническая физика», а также по другим направлениям, в учебных планах которых предусмотрено изучение оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Материалы учебного пособия могут быть использованы при изучении курсов «Оптические явления в полупроводниках» и «Физика полупроводников и наноразмерных структур» студентами старших курсов, а также аспирантами и научными работниками, специализирующимися в области полупроводниковой оптоэлектроники.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи
  • Содержание
  • Введение
  • 1 Прямые межзонные переходы
  • 1.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для прямозонных полупроводников
  • 2 Непрямые межзонные переходы
  • 2.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для непрямозонного полупроводника
  • 2.2 Непрямые межзонные переходы в прямозонном полупроводнике. Многофононные процессы
  • 3 Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры
  • 3.1 Фактор Дебая-Уоллера
  • 3.2 Фактор, связанный с деформацией решетки под действием температуры и давления
  • 3.3 Механизм Фэна
  • 4 Экситонное поглощение
  • 4.1 Экситоны в полупроводниках
  • 4.2 Расчет энергетического спектра экситонов большого радиуса
  • 4.3 Экситон как возбужденное состояние кристалла
  • 4.4 Экситонное поглощение света при прямых переходах
  • Заключение
  • Приложение А. Плотность состояний и статистика носителей заряда в низкоразмерных структурах
  • Приложение Б. Примеры тестовых экзаменационных вопросов
  • Литература

Количество обращений: 31 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика