Детальная информация
| Название | Поглощение света в полупроводниках: межзонные оптические переходы и экситоны: учебное пособие |
|---|---|
| Авторы | Винниченко Максим Яковлевич ; Мелентьев Григорий Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
| Коллекция | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
| Тематика | Свет — Поглощение ; Полупроводники ; Экситоны (физ.) |
| УДК | 535.34(075.8) ; 539.2:537.311.322(075.8) |
| Тип документа | Учебник |
| Язык | Русский |
| Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/5/tr21-44 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\66226 |
| Дата создания записи | 18.03.2021 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В учебном пособии рассмотрены процессы межзонных оптических переходов носителей заряда (прямые и непрямые переходы). Рассмотрены экситоны и их влияние на межзонное поглощение света. Также особое внимание уделено изучению влияния температуры на ширину запрещенной зоны. Наряду с теорией рассматриваемых явлений приведены экспериментальные данные. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Техническая физика», а также по другим направлениям, в учебных планах которых предусмотрено изучение оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Материалы учебного пособия могут быть использованы при изучении курсов «Оптические явления в полупроводниках» и «Физика полупроводников и наноразмерных структур» студентами старших курсов, а также аспирантами и научными работниками, специализирующимися в области полупроводниковой оптоэлектроники.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- Содержание
- Введение
- 1 Прямые межзонные переходы
- 1.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для прямозонных полупроводников
- 2 Непрямые межзонные переходы
- 2.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для непрямозонного полупроводника
- 2.2 Непрямые межзонные переходы в прямозонном полупроводнике. Многофононные процессы
- 3 Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры
- 3.1 Фактор Дебая-Уоллера
- 3.2 Фактор, связанный с деформацией решетки под действием температуры и давления
- 3.3 Механизм Фэна
- 4 Экситонное поглощение
- 4.1 Экситоны в полупроводниках
- 4.2 Расчет энергетического спектра экситонов большого радиуса
- 4.3 Экситон как возбужденное состояние кристалла
- 4.4 Экситонное поглощение света при прямых переходах
- Заключение
- Приложение А. Плотность состояний и статистика носителей заряда в низкоразмерных структурах
- Приложение Б. Примеры тестовых экзаменационных вопросов
- Литература
Количество обращений: 31
За последние 30 дней: 0
