Details
| Title | Сканирующая туннельная микроскопия и атомарно-силовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур: учебное пособие. — Частично дополнено и переработано |
|---|---|
| Creators | Рыков Сергей Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2022 |
| Collection | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
| Subjects | Микроскопия ; Полупроводники ; Наноструктурные материалы ; Графены ; сканирующие туннельные микроскопы ; атомарно-силовые микроскопы ; учебники и пособия для вузов |
| UDC | 681.723(075.8) ; 621.315.592(075.8) ; 620.3(075.8) ; 549.21(075.8) |
| Document type | Tutorial |
| File type | |
| Language | Russian |
| Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/5/tr22-64 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\68101 |
| Record create date | 4/5/2022 |
В учебном пособии на примерах сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) и атомарно-силового микроскопа (АСМ) рассмотрены основные принципы сканирующей зондовой микроскопии. Изложены физические основы их действия, описаны современные конструкции СТМ и АСМ. Рассматривается результаты их практического применения к исследованию и диагностике полупроводниковых материалов и наноструктур.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Глава 1. Сканирующая туннельная микроскопия и локальнаятуннельная спектроскопия
- 1.1. Физические основы туннелирования
- 1.2. Принцмп работы СТМ
- 1.3. Конструкции современных СТМ
- 1.4. СТМ исследование топографии поверхностиполупроводников
- 1.5. СТМ/ЛТС исследование полупроводниковыхматериалов и структур
- 1.6. СТМ/ЛТС исследование графена намикроструктурированной подложке
- Глава 2. Атомарно-силовой микроскоп
- 1.1. Принцип действия АСМ
- 1.2. Применение АСМ для исследования полупроводниковых материалов и наноструктур
- Заключение
- Список использованной литературы
Access count: 4455
Last 30 days: 64
