Изучено влияние облучения ионами гелия с энергией 40 кэВ и дозами 1*10{14} - 2*10{1} см{-2} на микроструктуру и фазовый состав керамик на основе карбида кремния. Выявлен радиационный рост кристаллической решетки 6H-SiC. При дозе 1*10{16} см{-2} наблюдается спад деформации, связанный с формированием газово-вакансионных кластеров, являющихся стоками для радиационных дефектов. Установлена аморфизация приповерхностного слоя.

The effect of irradiation with helium ions with an energy of 40 keV and doses of 1*10{14} - 2*10{17} cm{-2} on the microstructure and phase composition of ceramics based on silicon carbide has been studied. The irradiation growth of the 6H-SiC crystal lattice was revealed. However, at a dose of 1*10{16} cm{-2}, there is a decrease in deformation associated with the formation of gasvacancy clusters, which are sinks for radiation defects. Amorphization of the near-surface layer has been established.

Физика и химия обработки материалов = Physics and chemistry of materials treatment: научно-технический журнал / Российская академия наук, Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова. — Москва: Интерконтакт Наука, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=8248>.

Физика и химия обработки материалов = Physics and chemistry of materials treatment: научно-технический журнал / Российская академия наук, Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова. — Москва: Интерконтакт Наука, 2022 -. № 1, 2023. — (8 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=50754072>.