Исследованы фотоприемники на основе диодной гетероструктуры с фоточувствительной областью из твердого раствора InAsSb[x] (x = 0.38) с длинноволновой границей фоточувствительности lambda[0.1] около 10 mum (296 K). Исследованы зависимости плотности темновых токов и обнаружительной способности в интервале температур 200-425 K. Показано, что экспериментальные образцы характеризуются значениями плотности темновых токов около 500 А/сm{2} при комнатной температуре, обнаружительной способностью 1.2*10{9} и 5*10{9} сmHz{1/2}W{-1} при комнатной температуре и 250 K соответственно и диффузионным механизмом токопротекания в интервале температур 200-350 K.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 131, № 11, 2023. — (36 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=60019291>.