Повышение степени интеграции микросхем обусловило необходимость моделирования полупроводниковых структур, позволяющего предварительно рассчитать их конструктивно-технологические и электрофизические параметры и уменьшить тем самым количество натурных экспериментов. Часто p-n-переход не только является основной активной частью приборов электронной техники, но и выполняет функции одной из областей приборных структур, например может быть эмиттерным переходом биполярного n-p-n-транзистора. В работе проведен сравнительный анализ результатов двумерного моделирования кремниевого p-n{+}-перехода в двух системах координат: прямоугольной (декартовой) и цилиндрической. Для проведения технологического моделирования исследуемой p-n{+}-структуры и получения ее изображения применена программа TSuprem4, входящая в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Приборное моделирование полученной p-n{+}-структуры как в декартовой, так и в цилиндрической системах координат осуществлено с помощью программы Medici, также входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Получены значения электрофизических параметров исследуемого p-n{+}-перехода и построены его пробивные характеристики. Для рассматриваемой структуры разница в значениях конструктивно-технологических параметров при моделировании в двух системах координат составляет от 2,6 до 7,4 %, в значениях электрофизических параметров - от 1,0 до 1,5 %. Полученные различия в результатах вычислений незначительны. Следовательно, исследованную структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности.

An increase in the degree of integration of microcircuits has led to a growth in the need for simulation of semiconductor structures, which makes it possible to calculate their design, technological and electrical parameters preliminarily, thereby reducing the number of full-scale experiments. A p-n{+}-junction is often not just a major active part of electronic technology devices, it can function as one of device structure areas, e. g. it can be an emitter junction in the bipolar n-p-n-transistor. In this work, comparative analysis of results of silicon p-n{+}-junction two-dimensional simulation in two different types of coordinate systems, rectangular (Cartesian) and cylindrical, is performed. For process simulation and imaging of p-n{+}-structure under study, the TSuprem4 program was used, which is a part of the Synopsys software package. Device simulation of obtained p-n{+}-structure in both Cartesian and cylindrical coordinate systems was performed using the Medici program, also a part of the Synopsys software package. The values of physical parameters of p-n{+}-structure under study have been obtained and its breakdown characteristics have been built. For the considered structure, the difference in the values of design and technical parameters at the simulation in both coordinate systems ranges from 2.6 to 7.4 % and in the values of physical parameters it ranges from 1.0 to 1.5 %. The obtained differences in calculation results are insignificant. Therefore, the structure under study can be simulated in both coordinate systems with sufficiently high degree of accuracy.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 28, № 5, 2023. — (14 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=54683297>.