Details

Title: Влияние электрического поля на фазовые переходы в твердых растворах антисегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_04 «Физическая электроника»
Creators: Удовенко Станислав Александрович
Scientific adviser: Вахрушев Сергей Борисович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2022
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Сегнетоэлектрики; Электрическое поле; Фазовые переходы; Синхротронное излучение; антисегнетоэлектрики; диффузное рассеяние; доменная структура; антифазные доменные границы; antiferroelectrics; diffuse scattering; domain structure; antiphase domain boundaries
UDC: 537.212; 537.226.4; 621.384.633.6
Document type: Scientific report
File type: Other
Language: Russian
Level of education: Graduate student
Speciality code (FGOS): 03.06.01
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Rights: Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141
Record key: ru\spstu\vkr\17967

Annotation

В работе исследуются механизмы влияния умеренных электрических полей на процессы, сопровождающие фазовые переходы в твердом растворе антисегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик цирконате-титанате свинца, с содержанием титана 2.4%. Показана возможность управления конфигурацией антисегнетоэлектрических доменов и антифазных доменных стенок в низкотемпературной фазе. Проанализирована предпереходовая критическая динамика решетки в случае приложенного электрического поля и при отсутствии поля. Разработана специализированная ячейка образца, позволяющая прикладывать электрические поля до 10 кВ/см в широком температурном диапазоне.

The paper is dedicated to research of mechanisms of the influence of moderate electric fields on the processes accompanying phase transitions in an antiferroelectric-ferroelectric lead zirconate-titanate solid solution with a titanium content of 2.4. The possibility of controlling the configuration of antiferroelectric domains and antiphase domain walls in the low-temperature phase is shown. The pretransition critical lattice dynamics is analyzed in the case of an applied electric field and in the absence of a field. A specialized sample cell has been developed that allowed to apply electric fields up to 10 kV/cm in a wide temperature range.