| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: View |
Annotation
Ионная имплантация - ключевая и безальтернативная технология легирования карбида кремния SiC в процессах изготовления SiC-приборов. SiC-технология имеет ряд отличительных особенностей по сравнению с Si-технологией ионного легирования. В работе проведен системный анализ современных технических решений, направленных на формирование методом ионной имплантации локальных легированных областей различного назначения для приборов силовой электроники на основе SiC. Представлены результаты исследований, проведенных в СПбГЭТУ "ЛЭТИ". Исследования ориентированы на отработку и выбор режимов ионной имплантации алюминия и фосфора в 4H-SiC-структуру, обеспечивающих заданные концентрации легирующих примесей и геометрические размеры локальных ионно-легированных областей. Разработанные режимы ионной имплантации успешно реализованы при изготовлении образцов силовых 4H-SiC МДП-транзисторов с рабочими напряжениями до 1200 В.
In the SiC device fabrication processes ion implantation is a key and non-alternative technology of silicon carbide doping. SiC technology has a number of distinctive features compared to the "silicon" ion doping technology. In this work, an analysis of modern technological solutions aimed at the formation of locally doped regions for various purposes by ion implantation for SiC-power electronics devices is carried out. The results of studies at ETU "LETI" are presented. These studies are focused on the development of Al and P implantations into 4H-SiC which provide the required doping levels and the geometric dimensions of locally doped regions. The developed implantation regimes have been successfully implemented for the manufacturing of power 4H-SiC MOSFETs samples with operating voltages up to 1200 V.
Included in
Usage statistics
|
|
Access count: 23
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |