Details

Title: Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1461-1463
Creators: Сергеев В. А.; Фролов И. В.; Казанков А. А.
Imprint: 2023
Collection: Общая коллекция
Subjects: Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; высокочастотные транзисторы; сверхвысокочастотные транзисторы; гетеробиполярные транзисторы; биполярные транзисторы; рекомбинационное излучение; распределение плотности тока; распределение температуры
UDC: 621.382
LBC: 32.852
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.61011/OS.2023.11.57001.5050-23
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Additionally: New arrival
Record key: RU\SPSTU\edoc\72478

Allowed Actions: View

Annotation

Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации.

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics