| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: View |
Annotation
Методами рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии и лазерной вспышки проведены исследования фазового состава, морфологии, структуры и теплопроводности полупроводниковых пластин на основе твердого раствора Bi[2]Te[3] -[ х]Se[х], синтезированных методом порошковой металлургии, до и после фотонной обработки (ФО), проведенной с помощью излучения мощных ксеноновых ламп в среде аргона. Показано, что кратковременная ФО при малом температурном воздействии на материал позволяет за счет облучения поверхности оказать на приповерхностный слой существенное энергетическое воздействие, достаточное для формирования градиентной структуры и, как следствие, увеличить термоэлектрическую добротность ветвей на основе твердых растворов Bi[2]Te[3] - Bi[2]Se[3].
The phase composition, morphology, structure and thermal conductivity of semiconductor wafers based on a solid solution of Bi[2]Te[3] -[x]Se[x] synthesized by powder metallurgy, before and after photonic processing (FO) were studied by X-ray diffractometry, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and laser flash conducted using the radiation of powerful xenon lamps in an argon medium. It is shown that short-term PHO with a low temperature effect on the material allows, due to irradiation of the surface, to exert a significant energy effect on the near-surface layer sufficient to form a gradient structure and, as a consequence, to increase the thermoelectric Q-factor of branches based on solid solutions of Bi[2]Te[3] - Bi[2]Se[3].
Included in
Usage statistics
|
|
Access count: 25
Last 30 days: 1 Detailed usage statistics |