Детальная информация
| Название | Самоорганизация объемного заряда у поверхности полупроводника при равномерном распределнии примеси // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет |
|---|---|
| Авторы | Невилько А.В.; Бондаренко В.Б. |
| Другие авторы | Глухов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2005 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | субмикронные технологии; объемные заряды; полупроводниковые системы |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\8121 |
| Дата создания записи | 01.03.2005 |
In this paper we discuss the possibility of the self-organization at equilibrium distribution ofshallow-level impurity in the surface space region of a semiconductor. It was found the criterion of shortrange ordering and the impurity distribution in considered system.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 765
За последние 30 дней: 8
