Details
| Title | Самоорганизация объемного заряда у поверхности полупроводника при равномерном распределнии примеси // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет. — Ч.6 |
|---|---|
| Creators | Невилько А.В. ; Бондаренко В.Б. |
| Other creators | Глухов Владимир Викторович |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург) ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2005 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | субмикронные технологии ; объемные заряды ; полупроводниковые системы |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\8121 |
| Record create date | 3/1/2005 |
In this paper we discuss the possibility of the self-organization at equilibrium distribution ofshallow-level impurity in the surface space region of a semiconductor. It was found the criterion of shortrange ordering and the impurity distribution in considered system.
Access count: 969
Last 30 days: 14