The purpose of this work was studying the processes of C60 films evaporation on Si and porousSi substrates. It was found that velocity of C60 condensation is higher on porous Si. Methods of atomic-forcemicroscopy (AFM) and scanning electronic microscopy (SEM) were used for investigation of C60condensation process. Mechanism of nucleation on porous Si is found to differ essentially from that on Si.The photoluminescence of C60/Si. C60/porous Si structures were measured before and after thermal treatment.Forming wideband phase with maximum of photoluminescence at 440 nm were shown. Photoluminescenceintensity of porous Si structures is higher.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург). Материалы...24 - 29 ноября 2003г. [Электронный ресурс] / Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научно-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. — Санкт-Петербург, 2004. — Электрон. версия печ. публикации 2004. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург). Материалы...24 - 29 ноября 2003г. [Электронный ресурс] / Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научно-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. — Санкт-Петербург, 2004. Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Ч.6. — Электрон. текстовые дан. (91 файл: 10,8 МБ), 2005. — Электрон. версия печ. публикации 2004. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовые файлы. — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/840.pdf>.