Details
| Title | Внутризонная релаксация оптически возбужденных электронов в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет. — Ч.6 |
|---|---|
| Creators | Барзилович М.А. ; Зерова В.Л. ; Фирсов Д.А. |
| Other creators | Глухов Владимир Викторович |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург) ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2005 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | лазеры ; квантовые ямы ; туннельно-связанные КЯ |
| Document type | Article, report |
| File type | |
| Language | Russian |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\8178 |
| Record create date | 3/3/2005 |
The way of use of the semiconductor heterostructure of tunnel-coupled quantum wells for midinfrared lasers is offered. The results of calculation of electron interlevel relaxation lifetimes are presentedand the possibility of inversion population in the system of tunnel-coupled QW is shown. Calculation resultsare compared with the experimental data of picosecond absorption dynamics under intraband pumping.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 1152
Last 30 days: 29
