Петров, С.И. Выращивание гетероструктур InGaN/GaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии на сапфире [Электронный ресурс] / С.И. Петров, В.Г. Сидоров. — (Секция "Физика полупроводников и наноэлектроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 100 Кб) // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. [Электронный ресурс] / Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научно-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. – Санкт-Петербург. – 2005. – Ч.6 : Радиофизический факультет. — Ч.6. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации 2004г. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/005012.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Последние 30 дней | 6 | 0 | 4 | 0 | 10 |
| Последние 365 дней | 135 | 0 | 91 | 0 | 226 |
| За все время | 639 | 2 | 542 | 0 | 1 183 |