Details
| Title | Эмиссия терагерцового излучения из полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs в условиях пробоя примеси электрическим полем // XXXVI неделя науки СПбГПУ: материалы Всероссийской межвуз. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов, 26 ноября - 1 декабря 2007 г. Санкт-Петербург. – 2009. – Радиофизический факультет. — Ч. 6 |
|---|---|
| Creators | Загайнова В. С. ; Мелентьев Г. А. ; Шалыгин В. А. |
| Other creators | Рудской Андрей Иванович ; Арсеньев Д. Г. ; Глухов Владимир Викторович |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Imprint | СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2009 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | температурные зависимости ; области сильных полей ; поляризация |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\16887 |
| Record create date | 12/1/2009 |
Access count: 880
Last 30 days: 10