Детальная информация
| Название | Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 |
|---|---|
| Авторы | Сафонов Кирилл Леонидович |
| Научный руководитель | Трушин Ю. В. |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Выходные сведения | СПб., 2009 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Тематика | Наноструктурные материалы; Полупроводники — Кристаллы - Получение; компьютерное моделирование |
| УДК | 620.22-022.53(043.3); 538.911(043.3); 004.94(043.3) |
| Тип документа | Автореферат |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Код специальности ОКСВНК | 01.04.07 |
| Группа специальностей ОКСВНК | 010000 - Физико-математические науки |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\15811 |
| Дата создания записи | 15.01.2009 |
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 1027
За последние 30 дней: 9
