Сафонов, Кирилл Леонидович. Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования [Электронный ресурс]: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / К. Л. Сафонов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; науч.рук Ю. В. Трушин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 363 Кб). — СПб., 2009. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 6.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/1670.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 1 | 0 | 3 | 0 | 4 |
| Последние 365 дней | 76 | 0 | 37 | 0 | 113 |
| За все время | 550 | 0 | 468 | 0 | 1 018 |