Сафонов, Кирилл Леонидович. Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования [Электронный ресурс]: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / К. Л. Сафонов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; науч.рук Ю. В. Трушин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 363 Кб). — СПб., 2009. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 6.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/1670.pdf>.