Сафонов, Кирилл Леонидович. Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования [Электронный ресурс]: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / К. Л. Сафонов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; науч.рук Ю. В. Трушин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 363 Кб). — СПб., 2009. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 6.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/1670.pdf>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Год 2012 | 17 | 0 | 25 | 0 | 42 |
| Год 2013 | 43 | 0 | 15 | 0 | 58 |
| Год 2014 | 33 | 0 | 9 | 0 | 42 |
| Год 2015 | 64 | 0 | 16 | 0 | 80 |
| Год 2016 | 81 | 0 | 45 | 0 | 126 |
| Год 2017 | 59 | 0 | 55 | 0 | 114 |
| Год 2018 | 39 | 0 | 99 | 0 | 138 |
| Год 2019 | 22 | 0 | 36 | 0 | 58 |
| Год 2020 | 44 | 0 | 29 | 0 | 73 |
| Год 2021 | 29 | 0 | 43 | 0 | 72 |
| Год 2022 | 31 | 0 | 30 | 0 | 61 |
| Год 2023 | 20 | 0 | 39 | 0 | 59 |
| Год 2024 | 68 | 0 | 28 | 0 | 96 |
| Всего | 550 | 0 | 469 | 0 | 1 019 |