Детальная информация

Название Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10
Авторы Карабешкин Константин Валерьевич
Организация Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2013
Коллекция Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция
Тематика Полупроводники — Действие ионизирующих излучений ; Полупроводники — Поверхностные свойства
УДК 537.311.322:539.16.04(043.3)
Тип документа Автореферат
Тип файла PDF
Язык Русский
Код специальности ОКСВНК 01.04.04 ; 01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК 010000 - Физико-математические науки
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\19884
Дата создания записи 12.04.2013

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Диссертационная работа посвящена исследованию различий в накоплении структурных нарушений, топографии и сдвиге поверхности, а также изменении внутренних механических напряжений при облучении атомарными и молекулярными ионами.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 34 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика