Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10

Карабешкин, Константин Валерьевич

Вход в систему

Детальная информация

	Таблица	Карточка	RUSMARC

Название:	Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10
Авторы:	Карабешкин Константин Валерьевич
Организация:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения:	Санкт-Петербург, 2013
Коллекция:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика:	Полупроводники — Действие ионизирующих излучений; Полупроводники — Поверхностные свойства
УДК:	537.311.322:539.16.04(043.3)
Тип документа:	Автореферат
Тип файла:	PDF
Язык:	Русский
Код специальности ОКСВНК:	01.04.04; 01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК:	010000 - Физико-математические науки
Права доступа:	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи:	RU\SPSTU\edoc\19884

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Диссертационная работа посвящена исследованию различий в накоплении структурных нарушений, топографии и сдвиге поверхности, а также изменении внутренних механических напряжений при облучении атомарными и молекулярными ионами.

Права на использование объекта хранения

	Место доступа		Группа пользователей		Действие
	Локальная сеть ИБК СПбПУ		Все
	Интернет		Авторизованные пользователи СПбПУ
	Интернет		Анонимные пользователи

Статистика использования

Количество обращений: 33
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика