Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10

Карабешкин, Константин Валерьевич

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10
Creators:	Карабешкин Константин Валерьевич
Organization:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint:	Санкт-Петербург, 2013
Collection:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects:	Полупроводники — Действие ионизирующих излучений; Полупроводники — Поверхностные свойства
UDC:	537.311.322:539.16.04(043.3)
Document type:	Author's Abstract
File type:	PDF
Language:	Russian
Speciality code (OKSVNK):	01.04.04; 01.04.10
Speciality group (OKSVNK):	010000 - Физико-математические науки
Rights:	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	RU\SPSTU\edoc\19884

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Диссертационная работа посвящена исследованию различий в накоплении структурных нарушений, топографии и сдвиге поверхности, а также изменении внутренних механических напряжений при облучении атомарными и молекулярными ионами.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		Authorized users SPbPU
	Internet		Anonymous

Usage statistics

Access count: 33
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics