Изменение содержания Al в барьерном слое AlxGa1-xN от 25% до 40% приводит к изменению слоевого сопротивления от 400-420 до 250-270 Ом/ед. пл. Однако увеличение содержания Al выше 30% затрудняет получение омических контактов, а так же приводит к релаксации напряжений. Поэтому оптимальной является структура с концентрацией Al порядка 30%. При данном составе слоевая концентрация электронов равна 1.5-1.6·1013 см-2, подвижность- 1300-1400 см2/В·с, а слоевое сопротивление- 290-310 Ом/ед. пл. Использование сверхрешеток в виде барьерного слоя позволяет увеличить концентрацию и подвижность электронов, однако при этом необходима дальнейшая оптимизация технологии термического отжига омических контактов. Были получены транзисторные гетероструктуры с барьерным слоем In0.17Al0.83N, согласованным по параметрам решётки с GaN, с электрофизическими параметрами: слоевая концентрация электронов - 2,1·1013 см-2, подвижность электронов в канале - 1100 см2/В.с.