Details

Title Влияние конструкции барьерного слоя на электрофизические параметры транзисторных гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом МЛЭ: магистерская диссертация
Creators Ионов Леонид Эдуардович
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2014
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Полупроводниковые структуры ; Триоды полупроводниковые
UDC 537.311.322(043.3)
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\22299
Record create date 7/11/2014

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Изменение содержания Al в барьерном слое AlxGa1-xN от 25% до 40% приводит к изменению слоевого сопротивления от 400-420 до 250-270 Ом/ед. пл. Однако увеличение содержания Al выше 30% затрудняет получение омических контактов, а так же приводит к релаксации напряжений. Поэтому оптимальной является структура с концентрацией Al порядка 30%. При данном составе слоевая концентрация электронов равна 1.5-1.6·1013 см-2, подвижность- 1300-1400 см2/В·с, а слоевое сопротивление- 290-310 Ом/ед. пл. Использование сверхрешеток в виде барьерного слоя позволяет увеличить концентрацию и подвижность электронов, однако при этом необходима дальнейшая оптимизация технологии термического отжига омических контактов. Были получены транзисторные гетероструктуры с барьерным слоем In0.17Al0.83N, согласованным по параметрам решётки с GaN, с электрофизическими параметрами: слоевая концентрация электронов - 2,1·1013 см-2, подвижность электронов в канале - 1100 см2/В.с.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 860 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics