Details

Title Продольная фотопроводимость в структурах Ge/Si с квантовыми точками: магистерская диссертация
Creators Никольский Игорь Евгеньевич
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2014
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Полупроводниковые структуры ; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства
UDC 537.311.322:535.215(043.3)
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\22302
Record create date 7/11/2014

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В настоящей диссертации проводились исследования оптических свойств образцов структур Ge/Si с квантовыми точками. Были получены спектры фотоиндуцированной фотопроводимости для разных уровней легирования, при разных температурах и при разных мощностях возбуждающего излучения. Проведено сравнение этих спектров со спектрами межзонного поглощения в аналогичных образцах. Полученные спектры были описаны, их особенности - теоретически обоснованы. Данное исследование проводилось впервые. Результаты работы могут быть полезны при разработке эффективных ИК-детекторов среднего и ближнего диапазона.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 458 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics