Details
| Title | Продольная фотопроводимость в структурах Ge/Si с квантовыми точками: магистерская диссертация |
|---|---|
| Creators | Никольский Игорь Евгеньевич |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2014 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | Полупроводниковые структуры ; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства |
| UDC | 537.311.322:535.215(043.3) |
| Document type | Other |
| File type | |
| Language | Russian |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\22302 |
| Record create date | 7/11/2014 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В настоящей диссертации проводились исследования оптических свойств образцов структур Ge/Si с квантовыми точками. Были получены спектры фотоиндуцированной фотопроводимости для разных уровней легирования, при разных температурах и при разных мощностях возбуждающего излучения. Проведено сравнение этих спектров со спектрами межзонного поглощения в аналогичных образцах. Полученные спектры были описаны, их особенности - теоретически обоснованы. Данное исследование проводилось впервые. Результаты работы могут быть полезны при разработке эффективных ИК-детекторов среднего и ближнего диапазона.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 458
Last 30 days: 0
