Details
Title | Продольная фотопроводимость в структурах Ge/Si с квантовыми точками: магистерская диссертация |
---|---|
Creators | Никольский Игорь Евгеньевич |
Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2014 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | Полупроводниковые структуры ; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства |
UDC | 537.311.322:535.215(043.3) |
Document type | Other |
File type | |
Language | Russian |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\22302 |
Record create date | 7/11/2014 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В настоящей диссертации проводились исследования оптических свойств образцов структур Ge/Si с квантовыми точками. Были получены спектры фотоиндуцированной фотопроводимости для разных уровней легирования, при разных температурах и при разных мощностях возбуждающего излучения. Проведено сравнение этих спектров со спектрами межзонного поглощения в аналогичных образцах. Полученные спектры были описаны, их особенности - теоретически обоснованы. Данное исследование проводилось впервые. Результаты работы могут быть полезны при разработке эффективных ИК-детекторов среднего и ближнего диапазона.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 458
Last 30 days: 0