Details

Title: Продольная фотопроводимость в структурах Ge/Si с квантовыми точками: магистерская диссертация
Creators: Никольский Игорь Евгеньевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2014
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые структуры; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства
UDC: 537.311.322:535.215(043.3)
Document type: Other
File type: PDF
Language: Russian
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\22302

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В настоящей диссертации проводились исследования оптических свойств образцов структур Ge/Si с квантовыми точками. Были получены спектры фотоиндуцированной фотопроводимости для разных уровней легирования, при разных температурах и при разных мощностях возбуждающего излучения. Проведено сравнение этих спектров со спектрами межзонного поглощения в аналогичных образцах. Полученные спектры были описаны, их особенности - теоретически обоснованы. Данное исследование проводилось впервые. Результаты работы могут быть полезны при разработке эффективных ИК-детекторов среднего и ближнего диапазона.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 454
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics