Детальная информация
Название | Исследование влияния облучения тяжелыми ионами высоких энергий на свойства карбида кремния: магистерская диссертация |
---|---|
Авторы | Чучвага Николай Алексеевич |
Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2014 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | Кремний, карбиды ; Шоттки барьер ; Полупроводники — Действие ионизирующих излучений |
УДК | 537.311.322:539.16(043.3) |
Тип документа | Другой |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\22304 |
Дата создания записи | 11.07.2014 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
В работе исследовались структуры с барьерами Шоттки (БШ), сформированными термовакуумным напылением Cr на С грани кристаллов 6H-SiC с концентрацией Nd - Na = 2х1018 см-3. Точечные базовые контакты на Si грани кристаллов изготавливались напылением Cr/Al. Структуры облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4х109-7 х1011 см-2 при температуре 300 К в одинаковых режимах как со стороны БШ, так и базовых контактов. Распределение радиационных дефектов по глубине образцов исследовалось на сколе кристаллов методом локальной катодолюминесценции (ЛКЛ). Исследовались ВФХ и ВАХ характеристики БШ. Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Было выявлено, что в начале пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты акцепторного типа. Однако в конце пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты донорного типа.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 972
За последние 30 дней: 1