С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Исследование влияния облучения тяжелыми ионами высоких энергий на свойства карбида кремния: магистерская диссертация
Creators: Чучвага Николай Алексеевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2014
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Кремний, карбиды; Шоттки барьер; Полупроводники — Действие ионизирующих излучений
UDC: 537.311.322:539.16(043.3)
File type: PDF
Language: Russian
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследовались структуры с барьерами Шоттки (БШ), сформированными термовакуумным напылением Cr на С грани кристаллов 6H-SiC с концентрацией Nd - Na = 2х1018 см-3. Точечные базовые контакты на Si грани кристаллов изготавливались напылением Cr/Al. Структуры облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4х109-7 х1011 см-2 при температуре 300 К в одинаковых режимах как со стороны БШ, так и базовых контактов. Распределение радиационных дефектов по глубине образцов исследовалось на сколе кристаллов методом локальной катодолюминесценции (ЛКЛ). Исследовались ВФХ и ВАХ характеристики БШ. Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Было выявлено, что в начале пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты акцепторного типа. Однако в конце пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты донорного типа.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 961
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics