Детальная информация

Название: Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Авторы: Вороненков Владислав Валерьевич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2014
Коллекция: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика: Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия
УДК: 537.311.322:548.5(043.3)
Тип документа: Автореферат
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ОКСВНК: 01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК: 010000 - Физико-математические науки
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\23254

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (396 Кб)

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования

stat Количество обращений: 671
За последние 30 дней: 6
Подробная статистика