Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10

Вороненков, Владислав Валерьевич

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Creators:	Вороненков Владислав Валерьевич
Organization:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint:	Санкт-Петербург, 2014
Collection:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects:	Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия
UDC:	537.311.322:548.5(043.3)
Document type:	Author's Abstract
File type:	PDF
Language:	Russian
Speciality code (OKSVNK):	01.04.10
Speciality group (OKSVNK):	010000 - Физико-математические науки
Rights:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	RU\SPSTU\edoc\23254

Allowed Actions: Read Download (396 Kb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		All

Usage statistics

Access count: 750
Last 30 days: 4
Detailed usage statistics